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威剛 DDR4 2133/8G RAM

相較於JEDEC的動態隨機記憶體(DRAM)的標準，新DDR4標準代表著顯著升級且有許多設計上的改變，以降低耗電量並在記憶子系統內提供更高的密度和頻寬。

DDR4模組：高速和低電壓

兩倍的頻寬，加上較低的電壓及顯著減少的耗電量，將性能強化和所有權總成本(TCO)最佳化。威剛的DDR4記憶體提供更高的可靠性，可取得性，可維護性(RAS)，以及更強的信號完整性(S / I)。

更高頻寬，更高的性能表現

• 威剛DDR4表現了比DDR2和DDR3更強的性能以更快的速度。



• 威剛DDR4在每個DIMM都展現出在的整體性能提升，對每個通道的每個DIMM約提高了30％的性能。

減少用電量，以致更環保，成本更低的運算

• DDR4同步動態RAM(SDRAM)顯著下降的電壓和更進步的輸出入(I / O)電源效率反映在大幅下降的成本上。



• 威剛DDR4模組以1.2V操作，比DDR3L耗損的1.35V電壓低11％。



• 以相同速度計算相同過程時，DDR4耗電量比DDR3L少37％。



• DDR4採用偽開放汲極(POD)介面來減少輸出入(I / O)耗電量；基於4GB為基礎，每通道2個DIMM(DPC)及16GB的條件，比DDR3L節省50％的耗電量。